材料研究学报  2001, Vol. 15 Issue (3): 328-332

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热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响

任丙彦;张志成;刘彩池;郝秋艳

河北工业大学

任丙彦; 张志成; 刘彩池; 郝秋艳 . 热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响[J]. 材料研究学报, 2001, 15(3): 328-332.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(455 KB)   摘要: 为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入, 采用不同的热场,通过最优化方法, 得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降, 热对流减小, 硅单晶中氧含量降低. 关键词 ： CZSi,  氧含量,  热场分布,  热对流,  数值模拟     Key words： 收稿日期: 1900-01-01      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 任丙彦 张志成 刘彩池 郝秋艳 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/Y2001/V15/I3/328 1 Shinji Togawa, Xinming Huang, Koji lzunome, Kazutaka Terashima, Shigeyuki Kimura, J.Crystal Growth,148, 70(1995) 2 H.Hirata, K.Hoshikawa, J.Crystal Growth, 125, 181(1992) 3 Isao Kanda, Takefumi Suzuki, Kiyoshi Kojima, J. Crystal Growth, 166, 669(1996) 4 Norihisa Machida, Youji Suzuki, Keisei Abe, Naoki Ono, Michio Kida and Yasuo Shimizu, J. Crystal Growth,186, 362(1998) 5 Seung--Ho Hahn, Takao Tsukada, Mitsunori Hozawa, Shigenao Maruyama, Nobuyuki Imaishi and Sadao,Kitagawa, J. Crystal Growth, 191, 413(1998) 6 S.Maruyama, Numer.Heat Transfer, A 24, 181(1993) 7 S.Maruyama, T.Aihara, Int. J. Heat Mass Transfer, 37, 1723(1994) 8周水溶,半导体材料(北京,北京理工大学出版社,1992)p.127(ZOU YOngrong, Semiconductor Materials (Beijing, Press of Beijing institute of Technology, 1992)p.127) 9 X.M.Huang, K.Terashima, H.Sasaki, E.Tokizaki, S.Kimura, Jap.J.Appl.Phys., 32, 3671(1993)I [1] 杨东亚, 李伟涛, 王宏刚, 高贵, 陈生圣, 任俊芳, 田松. 对偶环粗糙度对铋青铜磨损的影响[J]. 材料研究学报, 2021, 35(10): 732-740. [2] 刘庆生, 曾少军, 张丹城. 基于细观结构的阴极炭块钠膨胀应力数值分析及实验验证[J]. 材料研究学报, 2017, 31(9): 703-713. [3] 康智强 王恩刚 张林 赫冀成. 磁场作用下偏晶合金凝固组织演变的数值分析[J]. 材料研究学报, 2011, 25(2): 124-128. [4] 杨俊英 贾玉玺 丁妍羽 张国芳. 基于VOF/PLIC界面追踪方法的RTM工艺充模过程数值模拟[J]. 材料研究学报, 2009, 23(6): 622-627. [5] 彭岚 范菊艳 李友荣 朱驾. 微重力条件下分离结晶过程中熔体热毛细对流的数值模拟[J]. 材料研究学报, 2009, 23(4): 431-436. [6] 陈波; 高明; 马颖澈; 刘奎; 李依依 . 空心管坯电磁离心过程的数值模拟[J]. 材料研究学报, 2005, 19(6): 634-638. [7] 刘俊成; 谷智; 介万奇 . 垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析[J]. 材料研究学报, 2003, 17(6): 654-658. [8] 张玉妥; 李殿中; 庞维诚; 李依依 . 用相场方法模拟镍的枝晶生长[J]. 材料研究学报, 2002, 16(5): 538-543. [9] 梁歆桉; 金蔚青; 简来成; 潘志雷; 刘照华; 蔡丽霞 . 对氧化物熔体浮区中重力对流的数值模拟[J]. 材料研究学报, 2002, 16(1): 54-58. [10] 张维连; 孙军生; 张恩怀; 李嘉席; 吴小双; 高树良; 胡元庆; 刘俊奇 . 用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性[J]. 材料研究学报, 2001, 15(4): 454-458. [11] 刘正; 王中光; 王越; 李峰; 赵慧杰 . 镁合金压力充型与凝固过程的研究[J]. 材料研究学报, 1999, 13(6): 641-644. [12] 刘俊诚;介万奇;周尧和. ACRT过程流场影响因素的数值研究[J]. 材料研究学报, 1997, 11(1): 8-14. [13] 黄莉;宋显辉;彭立华;沈为. 玻璃表面裂纹扩展的数值模拟[J]. 材料研究学报, 1996, 10(5): 541-543. [14] 周衡南;邱燕. YBa_2Cu_3O_(7-x)结构转变中氧含量与X射线衍射轮廓的关系[J]. 材料研究学报, 1991, 5(2): 124-128. [15] 潘国强;何振辉;夏健生;张酣;钱逸泰;陈祖耀;刘双怀;张其瑞. YBa_2Cu_3O_x(6[J]. 材料研究学报, 1989, 3(3): 242-244. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed