材料研究学报  2006, Vol. 20 Issue (5): 496-498

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多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性

窦雁巍　 胡明　 崔梦　 宗杨

窦雁巍; 胡明; 崔梦; 宗杨 . 多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性[J]. 材料研究学报, 2006, 20(5): 496-498.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(247 KB)   摘要: 用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80%±2、厚度为110 μm时,导热系数可降低至0.20 W/m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响.结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ/μW和2.1 kΩ/μW),且热敏电阻的灵敏度随着多孔硅孔隙率和厚度的增大而升高. Key words： 收稿日期: 1900-01-01      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 窦雁巍 胡明 崔梦 宗杨 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/Y2006/V20/I5/496 1 A.Uhlir, Bell Syst.Tech., 35, 333(1956) 2 L.T.Canham, Applied Physics Letters, 57(9/10), 1046 (1990) 3 Loni A., Simons A. J., Cox T. I., Electronics Letters, 31(15), 1288(1995) 4 Canham L. T., Cox T. I., Loni A., Applied Surface Science, 102, 436(1996) 5 D.N.Pagonis, G.Kaltsas, A.G.Nassiopoulou, Journal of Micromechanics and Microengineering, 14, 793(2004) 6 C.Tsamis, A.G.Nassiopoulou, A.Tserepi, Sensors and Actuators B, 95, 78(2003) 7 Kronast W., Muller B., Siedel W., Sensors and Actuators A, 87(3), 188(2001) 8 Ducso Cs., Vazsonyi B., Adam M., Sensors and Actuators A, 60(1/3), 235(1997) 9 Moser D., Baltes H., Sensors and Actuators A, 37-38, 33(1993) 10 Oudheusden B.W., Herwaarden A.W., Sensors and Actuators A, 21-23, 425(1990) 11 Xie B., Mecklenburg M., Danielsson B., Analytical Chemical Acta, 299(2), 165(1994) 12 Mzerd A., Tcheliebou F., Sackda A., Sensors and Actuators A, 204(1-3), 387(1995) 13 TIAN Bin, HU Ming, ZHANG Zhisheng, Journal of Tianjin University, 37(9), 823(2004) (田斌,胡明,张之圣,天津大学学报,37(9),823(2004)) 14 WU Miao, HU Ming, WEN Yufeng, Piezoelectrics & Acoustooptics, 26(6), 471(2004)) (吴淼,胡明,温宇峰,压电与声光,26(6),471(2004)) 15 Billat S., Thonissen M., Thin Solid Films, 297, 22(1997) No related articles found! Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed