单晶碳化硅接触中亚表层损伤与破坏机理的原子尺度分析 |
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| 王胜, 周俏亭, 占慧敏, 陈晶晶 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Atomic Analysis of Contact-induced Subsurface Damage Behavior of Single Crystal SiC Based on Molecular Simulation |
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| WANG Sheng, ZHOU Qiaoting, ZHAN Huimin, CHEN Jingjing | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 表1 单晶碳化硅亚表层损伤的相变结构类型转化数目随使役温度的变化 |
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| Table 1 The transformation number of phase change structure types in the subsurface damage of single crystal silicon carbide varies with the service temperature |
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