电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
安欢,伍建春,张仲,王欢,孙华,展长勇,邹宇 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Effect of Electrochemical Etching Parameters on Surface Morphology of Thick-walled Macroporous Silicon Array |
||||||||||||||||||||||||||||||||
Huan AN,Jianchun WU,Zhong ZHANG,Huan WANG,Hua SUN,Changyong ZHAN,Yu ZOU | ||||||||||||||||||||||||||||||||
表1 在电化学刻蚀参数不同的情况下制备的宏孔硅阵列的孔壁厚度 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Table 1 Wall thickness of macroporous silicon array etched at different electrochemical etching parameters | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||