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1998年, 第12卷, 第1期 刊出日期:1998-02-25
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碳热还原法合成AIN晶须及其生长机理
周和平;陈浩;吴音;缪卫国;刘希
材料研究学报. 1998, 12 (1): 25-30.
以Al2O3和石墨为原料,采用碳热还原法制备AIN晶须.研究了矿化剂的种类及温度等工艺对AIN晶须合成的影响结果表明,以CaF2和B2O3为矿化剂的AIN品须是以VLS机制生长的,高温下VLS机制可以转变为VS机制,同时存在两维成核及螺位错生长过程,晶须生长方向大多呈{101n},(n=0,1,2,3)及{121m},(m=0,1;2)的晶面生长
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含活性基团硅氮烷先驱体的裂解
胡海峰;陈朝辉;冯春祥;张长瑞;宋永才
材料研究学报. 1998, 12 (1): 64-68.
用TG-GC,IR,元素分析,XRD研究MeSiHCl2与MeSiVi(Vi:-CH=CH2)Cl2共氨解产物的裂解过程.400~800℃在N2中完成裂解,硅氢化反应形成桥键[Si-CH2-CH2-Si,Si-CH(CH3)-Si]和自由基历程导致亚甲基插入形成Si-CH2-Si是裂解产物中富余碳的来源.在NH3中,NH3分子进攻Si-CH3形成低分子产物逸出而脱碳,裂解发生在400~600℃,得到较纯的Si3N4.1400℃以前裂解产物(N2,NH3)呈无定形态
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